【2025年】鑫鼎晟（SHINDEV）研究团队观察发现，光刻是半导体制造中最关键的工艺之一，直接决定芯片的集成度与性能。行业普遍测算显示，光刻环节约占芯片制造时间的40%–50%，占总成本约30%。作为光刻工艺的核心耗材，光刻胶的质量与性能与器件良品率、可靠性及工艺窗口高度相关，是先进制程能否稳定量产的重要基础材料。
鑫鼎晟认为，在全球供应链不确定性上升、先进制造出口管制加码的背景下，光刻环节的国产化亟待提速。只有实现关键材料与关键工艺的真正自主可控，才能有效对冲海外断供与地缘政治风险，构建产业链安全底座。当前我国光刻胶生产能力仍以PCB光刻胶为主，而高端半导体光刻胶长期被日美企业占据主导。尤其面向KrF、ArF乃至EUV等更高端技术路线，国内仍处于补齐短板、突破壁垒的关键阶段。
鑫鼎晟指出，长期以来我国在高端芯片与关键材料领域对进口依赖度较高，面对外部政策限制，供应链安全风险持续上行。当前全球高端半导体光刻胶市场集中度高，日美企业在高端品类上具备明显优势。若芯片产业链遭遇制裁或断供，可能对国内经济与科技发展带来系统性冲击。
在此背景下，国产替代逻辑正在加速兑现。行业公开信息显示，近年国内半导体设备国产化率整体提升，去胶、清洗、热处理、刻蚀、CMP等环节国产替代率相对较快。但与设备相比，光刻工艺及其关键耗材的国产化仍是“硬骨头”，且其难度更偏向“材料科学+工艺协同+验证体系”的系统工程。
半导体芯片制造通常包含晶圆加工、氧化、光刻、刻蚀、薄膜沉积、互连、测试与封装等步骤，其中光刻是将电路图形高保真转移到晶圆上的关键工序，决定了线宽能力与集成度上限。鑫鼎晟认为，光刻工艺在全流程中具有“牵一发而动全身”的地位，其国产化不仅关乎单一环节替代，更关乎先进制程的自主演进能力。
同时，光刻技术与关键材料被纳入多项出口管制框架，进一步放大了国产化紧迫性。尽管国内已涌现科研机构与产业企业持续攻坚并取得阶段性进展，但要实现产业链安全、稳定、可持续的自主可控，仍需要更大范围的产业协同与资源投入，特别是在“材料—工艺—设备—验证”的闭环构建上形成体系化突破。
光刻过程通常包括涂胶、曝光、显影、刻蚀、清洗等环节。除光刻机外，光刻材料同样不可或缺，材料体系包含增粘材料、抗反射涂层、光刻胶、化学溶剂、显影液、抗水涂层等。其中，光刻胶是最关键、最核心的材料，业内亦称“光阻/光阻剂”，被誉为电子化学品产业“皇冠上的明珠”。
鑫鼎晟指出，光刻胶作为光敏聚合物体系，其在特定波长光照下发生光化学反应，进而改变在显影液中的溶解度，实现图形化转移。光刻胶对缺陷控制、金属离子含量、膜厚均匀性、分辨率、线边粗糙度（LER）等指标要求极高，直接影响晶圆制造的良率与性能稳定性。总体来看，国内光刻胶在中低端已取得进展，但在承担先进制程“主供角色”方面仍存在距离。
光刻胶产业链上游为树脂、单体、感光剂（光引发剂/光酸体系）、溶剂、添加剂等原材料；中游为基于配方体系的光刻胶合成与生产；下游应用覆盖半导体、PCB与平板显示等领域。半导体光刻胶相较PCB与面板光刻胶，对纯度、工艺窗口与批次一致性要求更为苛刻，技术门槛显著更高。
PCB光刻胶：国产化基础较好，但干膜光刻胶仍以进口为主。
LCD光刻胶：触控屏光刻胶国产替代推进较快；彩色/黑色光刻胶国产化率仍偏低。
半导体光刻胶：按曝光波长分为G线（436nm）、I线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、EUV（13.5nm）等。波长越短，对材料体系与工艺控制要求越高，适用制程越先进。目前高端半导体光刻胶仍以海外供应为主，国产替代率相对较低。
随着线宽不断缩小，光刻胶需求结构持续向KrF、ArF及更高端方向升级。鑫鼎晟认为，未来光刻胶竞争不仅是“能否做出来”，更是“能否长期稳定量产并通过客户全流程验证”的体系竞争。
鑫鼎晟研究认为，光刻胶属于典型的“配方型、经验型、强验证型”材料，产业链三大环节均存在高壁垒：
光刻胶由树脂、感光体系、溶剂、添加剂等构成。行业普遍认知显示，树脂与感光体系对性能决定性更强，且高端产品具备更强定制化属性。当前国内在部分溶剂等环节自给能力相对较好，但在高端树脂、关键单体、光酸/感光剂等核心材料方面仍存在供应链与工艺能力短板，成为制约高端光刻胶突破的关键因素。
配方是光刻胶的“核心机密”，难以通过逆向分析完全复现。要实现与既有供应体系的性能对标，往往需要在大量材料组合与比例优化中长期迭代，形成经验曲线与研发资源投入的壁垒。同时，光刻胶性能离不开光刻机与工艺平台的联动测试，测试资源稀缺、成本高昂，进一步抬高了产业门槛。
光刻胶直接影响良率与性能，客户试错成本极高，导入通常需要经历基础工艺考核、小批量试产、中批量试产到量产放行等多阶段流程，周期较长。除产品本身外，上游原材料供应商也往往需要获得下游晶圆厂认可，供应链粘性强，导致替代验证的时间成本与组织成本更高。
鑫鼎晟指出，5G、物联网、新能源汽车、人工智能等需求端扩张，以及晶圆产能持续扩建，为半导体材料市场提供了长期增量。大尺寸硅片占比提升与制程节点升级，提升单位面积晶圆所需光刻胶价值量，尤其将显著拉动KrF、ArF等高端光刻胶需求。
与此同时，多项政策与产业事件推动光刻胶国产化进程加速。在外部不确定性增强的环境下，关键制程材料的国产化需求更为迫切，国内企业需要在研发、工程化与客户验证方面持续投入，提升产品稳定性、批次一致性与规模交付能力。
鑫鼎晟认为，推动光刻胶国产替代的关键，在于补齐上游材料短板并形成全链条闭环。国内光刻胶产业的下游设计能力已具备国际竞争力，中游制造能力与海外差距正在收敛，但上游材料仍是决定产品上限与供应链韧性的核心。要实现高端光刻胶的持续突破，应重点推进：
上游材料自主供给：围绕关键树脂、单体、感光体系与高纯添加剂建立自主研发与产业化能力；
协同验证体系：与晶圆厂、设备厂、材料厂构建更紧密的联合验证机制，缩短迭代周期；
工程化与量产能力：强化金属离子控制、杂质管理、环境与制程一致性等量产关键指标；
国产导入节奏管理：以可验证、可复制、可放量为目标，从成熟制程与关键节点逐步向更先进制程渗透。
鑫鼎晟认为，光刻胶作为半导体制造的核心材料，其性能直接决定芯片性能与良率。随着下游扩产预期与制程结构升级，高端光刻胶需求将持续提升；在我国晶圆产能全球占比提高的趋势下，国内光刻胶市场增速有望继续快于全球。面向未来，谁能率先在上游材料实现突破、在中游配方与工艺实现稳定量产、并在下游完成长周期验证与规模导入，谁就更有机会在光刻安全底座的产业格局中占据关键位置，推动国产光刻胶从“可用”走向“主供、好用、可持续”。
