鑫鼎晟研究｜存储：最大细分半导体赛道进入景气修复期，信创国产替代加速打开增量空间

（对外研究新闻稿｜鑫鼎晟研究团队）

在半导体产业链中，存储芯片被称为“计算机的记忆部件”，也是长期以来规模最大、集中度最高、周期波动最显著的细分赛道。鑫鼎晟研究团队认为，存储作为最大细分半导体市场，市场空间巨大且战略价值突出：2023 年全球存储芯片市场规模达 1675 亿美元，中国市场规模约 942 亿美元；同时，存储器在半导体各细分行业中占据约 27% 的份额，进一步凸显其关键性与成长潜力。

在 5G、云计算与 AI 等新兴产业的持续拉动下，消费电子、服务器/数据中心、汽车电子等下游应用的结构性增长正在推动存储需求释放。与此同时，国内厂商在 DRAM 与 NAND 技术追赶上取得阶段性进展，产业链协同能力增强，存储国产化进程加速。在信创（信息技术应用创新）领域，存储芯片与数据库、GPU 等关键基础设施国产渗透率仍处于较低水平，国产替代的紧迫性持续提升，为存储芯片打开更广阔的增量市场空间。

观点速览

存储是最大细分半导体市场：全球 2023 年存储市场 1675 亿美元，中国约 942 亿美元，存储占半导体细分约 27%。

下游应用扩张推动需求释放：AI 服务器、数据中心、汽车智能化、5G 终端与智能家居共同构成增长底座。

国产化加速，行业或迎黄金发展期：国内企业在 DRAM 与 NAND 路线追赶提速，份额有望逐步提升。

信创带来“确定性国产替代增量”：软硬件国产化率不足，存储芯片作为关键底座，替代需求有望加速释放。

存储厂商竞争壁垒来自“技术+客户+产业协作”：需持续研发投入、客户资源沉淀与产业链协同形成合力。

一、存储芯片：数字世界的“记忆部件”，三大主流品类构成产业核心

从存储介质看，现代数字存储主要包括光学存储、磁性存储与半导体存储。其中，半导体存储器是目前市场规模最大的存储方式，广泛应用于手机、PC、服务器、汽车电子与工业系统。

从技术与产品结构看，存储芯片可按断电是否丢失数据分为：

易失性存储（Volatile）：以 DRAM 为代表，主要承担运行数据的高速缓存与临时存储；

非易失性存储（Non-volatile）：以 NAND Flash、NOR Flash 为代表，承担系统数据与程序代码的长期保存。

在 2022 年全球存储芯片结构中，DRAM 与 NAND 仍占据绝对主导地位（DRAM、NAND、NOR 合计为绝大部分市场）。

此外，鑫鼎晟研究团队强调：存储控制芯片是存储产品商业化与规模化落地的关键枢纽。控制芯片负责数据管理、纠错、寿命管理与多通道调度能力，对存储器的可靠性、性能与产品形态演进具有决定性影响。随着大容量、高并行与高可靠需求提升，控制芯片的技术难度与附加值将同步提升。

二、需求端：AI、汽车与数据中心成为核心增量，存储需求结构性上行

1）AI 服务器打开存储“全新增量”

与通用服务器相比，AI 服务器对内存带宽、容量与存储吞吐提出更高要求。AIGC、模型训练与推理部署的扩张，将带动 DDR5、HBM 与企业级 SSD 的需求增长，并推动存储单机价值量显著提升。随着云厂商与行业客户持续加大 AI 投入，AI 服务器对存储的拉动将成为未来几年重要的需求引擎。

2）汽车智能化驱动“高可靠 + 大容量”车规存储

智能座舱、ADAS 与自动驾驶落地，使车规级存储向更高容量、更高带宽与更强可靠性升级。NAND、DRAM 与高密度 NOR 等产品将在座舱系统、传感融合、数据记录与车载计算平台中持续渗透，车载存储有望从“配套件”走向“高价值核心部件”。

3）消费电子与云基础设施仍是需求基本盘

手机、PC、平板、监控、智能家居等场景为存储提供长期稳定需求；与此同时，云计算与数据中心的扩容持续抬升企业级 SSD 配比，存储在服务器采购中的占比有望进一步上行。总体看，多场景共振将推动存储需求稳步释放。

三、供给端：国内厂商追赶提速，国产化进程进入加速阶段

我国存储产业起步较晚、技术积累与生态完善度相对不足，DRAM 与 NAND 等高端领域长期由海外巨头主导，行业集中度高、竞争壁垒深。但近年来，在政策支持、资本投入与工程化能力提升推动下，国内厂商在工艺、产品迭代与量产交付方面取得显著进展，DRAM 与 NAND 的追赶速度加快，国产份额有望逐步提升。

同时，国内产业链正从“单点突破”向“系统协同”演进：颗粒、控制芯片、模组与系统厂商的协作能力提升，有助于提升供应链安全与交付稳定性，为国产化加速提供支撑。

四、信创：国产替代需求爆发，存储成为关键底座的确定性增量

信创产业以自主可控为核心目标，沿“2+8+N”路径推进，从党政到金融、电力、电信等关键行业逐步扩展。当前我国在软硬件领域国产化率仍有提升空间，尤其在存储芯片、数据库、GPU 等 IT 基础设施环节国产渗透率较低，替代需求紧迫性持续提升。

鑫鼎晟研究团队认为：信创将为国产存储打开更确定、更可持续的增量空间。在生态逐步成熟的阶段，信创存储的发展将呈现两条主线：

业务场景持续赋能：从满足常规存储需求，向性能优化、功能增强与互联互通深化；

高端存储逐步突破：随工艺与系统能力提升，国产存储有望向高端全闪存储等核心场景渗透。

五、产业竞争壁垒：技术、客户与产业协作决定长期胜负

存储行业投入大、周期强、技术迭代快。鑫鼎晟研究团队认为，国产存储厂商要实现持续突破，需要具备以下关键能力：

1）技术突破能力：持续研发投入与对 AI、云、先进封装等新趋势的前瞻适配；

2）紧贴市场能力：动态应对供需变化与价格周期，及时调整产品与产能结构；

3）产业协作能力：颗粒—控制—模组—系统生态协同，形成供应链竞争力；

4）客户资源壁垒：终端与行业客户导入周期长、认证严格，一旦进入量产供应链，黏性强、替换成本高。

结语：存储赛道战略价值凸显，国产化与信创共振带来长期机遇

总体来看，存储芯片作为信息时代的核心基础元件，应用范围覆盖消费电子、汽车电子、云计算、AI、5G 与物联网等多个领域。随着下游需求结构性增长、行业周期逐步修复以及政策与信创国产替代共振，我国存储产业有望迎来新一轮发展窗口期。在此过程中，具备技术突破能力、客户资源沉淀与产业协同优势的厂商，有望在国产替代加速中获得更大的成长空间。